Samsung започна масово производство на процесори, използвайки 14-nm FinFET процес, едва наскоро, но вече се подготвя за бъдещето и започва да експериментира с 10-nm технология, а както самата тя казва, дори 5-nm технологията не е основен проблем за него. Компанията разкри тези интересни факти на конференцията ISSCC 2015, където представи прототипи на процесори, направени по 10-nm технология, които ще използва през следващите няколко години. В същото време Кинам Ким потвърди, че Samsung ще произвежда процесори в бъдеще, използвайки процес, който вече е на ръба на закона на Мур.
Но изглежда, че нищо не пречи на Samsung да надхвърли границата, поставена от Gordon Moore, и да направи още по-малки и по-икономични чипове. Компанията намекна, че в бъдеще може да започне да произвежда процесори, използвайки 3,25-nm производствен процес. Но остава въпросът какъв материал ще използва, тъй като Intel обяви, че вече не е възможно да се използва силиций под лимита от 7-nm. Ето защо той планира да произвежда чипове с помощта на индий-галиев-арсенид, по-известен със съкращението си InGaAs. Въпреки това, той все още може да използва силиций с текущия 14-nm FinFET процес. Последният се използва от една страна в производството на предварителни чипове Galaxy S6 и също ще го използва за производство на предварителни чипове iPhone 6s и Qualcomm. Той планира да използва процесори, произведени по 10-nm процес в IoT продукти, поради по-ниската консумация на чипове. Тези устройства обаче ще се появят в края на 2016 и 2017 г.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Източник: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
