Прага, 20 март 2015 г - Samsung Electronics Co., Ltd., световен лидер в модерните технологии за памет, представя високопроизводително 128GB 3bit NAND хранилище за мобилни устройства, което е базирано на технологията Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Водещите модели сред смартфоните вече преминават към 128GB памет за съхранение на базата на стандартите Universal Flash Storage (UFS) 2.0 или EMMC 5.1. По същия начин дори смартфоните от среден клас вече ще могат да увеличат капацитета си до 128 GB благодарение на новото хранилище Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Този чип памет има най-големият капацитет в рамките на стандарта eMMC 5.0.
„С пускането на нашата NAND-базирана 3-битова серия eMMC 5.0 очакваме да поведем пътя в разширяването на мобилното съхранение с голям капацитет. Ние продължаваме да развиваме нашето предложение за мобилна памет с подобрена производителност и по-висок капацитет, за да отговорим на нарастващото търсене на клиенти в индустрията за мобилни телефони.“ каза д-р. Jung-Bae Lee, старши вицепрезидент на екипа за планиране на продукти за памет и инженеринг на приложения в Samsung Electronics.
Последователно четене данните от новото 128GB eMMC 5.0 хранилище от Samsung работят с висока скорост 260 MB / сек. Това е същата производителност като NAND-базираната MLC eMMC 5.1 памет. Произволно четене и запис je 6000 IOPS, Респ. 5000 IOPS, който е достатъчно бърз, за да поддържа видео с висока разделителна способност и разширени функции за многозадачност. В сравнение с външни карти с памет, тези скорости на четене и запис са прибл 4 пъти a 10 пъти по-висока.
Новата 3-битова серия eMMC 5.0 разширява бизнеса на Samsung от доставка на SSD за центрове за данни, сървъри и персонални компютри до целия пазар на мобилни устройства за съхранение. Samsung ще продължи да въвежда 3-битови NAND флаш памети чрез разработването на решения с висока производителност и голям капацитет, както и ще продължи да укрепва конкурентоспособността на своя бизнес с технологии за памет.
//
//
