Samsung днес започна масово производство на своите нови DDR3 DRAM модули, използвайки 20-нанометров производствен процес. Тези нови модули имат капацитет от 4Gb, т.е. 512MB. Наличната памет на отделните модули обаче не е основната им характеристика. Напредъкът е именно в използването на нов производствен процес, който води до до 25% по-ниска консумация на енергия в сравнение с по-стария, 25-нанометров процес.
Преминаването към 20-nm технология е и последната стъпка, която дели компанията от започване на производството на модули памет, използващи 10-nm процес. Технологията, използвана в момента в новите модули, също е най-модерната на пазара и може да се използва не само с компютри, но и с мобилни устройства. За компютрите това означава, че Samsung вече може да създава чипове със същия размер, но със значително по-голяма оперативна памет. Samsung също трябваше да модифицира съществуващата си технология, за да може да направи чиповете по-малки, като същевременно запази текущия метод на производство.
- Може да се интересувате от: Samsung разработи първата 8Gb LPDDR4 мобилна DRAM памет
